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2020年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)

作者:未知      時(shí)間:2021-01-20 09:48:32

近年來(lái),在國(guó)家政策和資金支持下,我國(guó)大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體,各地方政府掀起了不斷加碼,尤其是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或?qū)? 入“十四五規(guī)劃”的消息更是進(jìn)一步推動(dòng)了該領(lǐng)域的投資熱潮,項(xiàng)目開工、企業(yè)布局等不斷涌現(xiàn)... 1、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或?qū)懭搿笆奈逡?guī)劃” 2020年9月,有消息稱我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃,計(jì)劃在2021-2025年期間, 在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。 2、長(zhǎng)沙三安160億第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工 2020年7月20日,投資160億元,占地面積1000畝的“三安光電第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園”,在長(zhǎng)沙高新區(qū)啟動(dòng)開工建設(shè)。該產(chǎn)業(yè)園主 要用于建設(shè)具自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。這里,也將誕生我國(guó)首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)線。 3、Cree推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠 2020年8月,Cree(科銳)宣布推進(jìn)從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型??其J于2019年9月宣布將在美國(guó)紐約州 Marcy 建造一座全新的采用最先進(jìn)技術(shù)并滿足車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的 200 mm 碳化硅(SiC)功率和射頻(RF)制造工廠。該工廠目前已經(jīng)完成 基礎(chǔ)工程施工,并開始主體工程施工。 4、華為投資入股北京天科合達(dá)等 2020年華為哈勃先后投資入股了國(guó)內(nèi)三家化合物半導(dǎo)體企業(yè),分別為:北京天科合達(dá),持股比例4.82%;寧波潤(rùn)華全芯微電子, 投資數(shù)額約214.29萬(wàn)元,投資比例占6.31%;瀚天天成,認(rèn)繳出資977.2萬(wàn)元。 5、全球最大氮化鎵工廠進(jìn)入量產(chǎn)階段 2020年9月,英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn) 入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成。該項(xiàng)目建成后,滿產(chǎn)可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片。 6、臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體合作,加快GaN技術(shù)開發(fā) 2020年2月,臺(tái)積電宣布與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體此前預(yù)計(jì)在2020年將首批樣品交給其主要客戶。 透過(guò)此合作,意法半導(dǎo)體將采用臺(tái)積公司的氮化鎵制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)其氮化鎵產(chǎn)品。 7、日本研發(fā)長(zhǎng)晶新技術(shù),1小時(shí)可制成優(yōu)質(zhì)GaN基底 8、穩(wěn)懋投850億新臺(tái)幣建廠 9、比亞迪規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線 比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀表示,比亞迪車規(guī)級(jí)的IGBT已經(jīng)走到5代,碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代,第4代正在開發(fā)當(dāng)中。目前在 規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線,預(yù)計(jì)到2021年有自己的產(chǎn)線。 10、露笑科技第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園開工 2020年11月,露笑科技在合肥投建的的第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目開工,項(xiàng)目總投資為人民幣100億元。主要建設(shè)國(guó)際 領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)的設(shè)備制造、長(zhǎng)晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地。

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